小型GaNモジュール

業界初^（注1）「小型GaNモジュール」を開発

当社は、高度なモジュール化技術により、米国Transphorm社製の高耐圧GaN-FETチップをドライブ回路とともに内蔵した「小型GaNモジュール」を業界に先駆け開発しました。

小型GaNパワーモジュールを電源関連や産業機器へと順次製品展開していきます。

また、将来的には車載分野での採用も視野に開発の強化および量産体制の構築を進め、電子デバイス事業の新たな柱として成長させていきます。

GaN（窒化ガリウム）はSiC（炭化ケイ素）と並び、現在主流のSi（シリコン）に代わる次世代半導体材料として注目され、実用化が進んでいます。

GaNはスイッチング性能に優れ、スイッチング周波数の高速性や電力損失を大幅に低減する高効率性を最大の特長としています。電源回路やモーター駆動回路、その他のパワーコンバーターやインバーターシステムの小型化や高効率化を容易に実現できるほか、SiCよりも低コストなデバイスとしても注目を集めています。

GaNデバイス開発のリーディングカンパニーであり、市場での採用実績が豊富なGaNデバイスラインアップを有する米国Transphorm社製のGaN-FETチップ（最大定格650V-40A）を搭載した小型モジュールです。

サンプル製品はドライブ回路を内蔵し^（注2）、4素子と6素子のGaNチップで構成された２種類のモジュールを提供予定です。今後、モジュールのさらなる小型化、薄型化、低コスト化を目指し開発を進め、大容量かつ高効率なTransphorm社製次世代チップの搭載も順次予定しています。

GaNデバイスは、電力損失を低減する反面、高速駆動のため、ノイズや誤動作に注意する必要があります。また、周辺回路の設計には高い専門性が不可欠であり、現在主流のSiデバイスと同じ手法ではモジュール化が困難とされていました。

当社は、産業機器向けインバーター用パワーモジュールの開発で培ったパワーデバイスの回路設計と実装技術に加え、小型化を実現する構造技術を駆使することで課題を解決し、モジュール化を実現しました。

GaNは、パワーデバイスの要であるスイッチング性能に優れており、効率のよい動作で電力損失を大きく低減します。現在主流のSiよりも高周波ドライブが可能となり、モジュール周辺のドライブ回路を小さくすることができ、省スペース化を図れます。

本製品はドライブ回路と複数のGaNチップで構成しており、インバーター用途に対しては低抵抗化、DC-DC コンバーター用途に対しては高周波化により、電力損失の低減を実現します。

・インバータ出力部（DC→AC変換部）

・インターリーブPFC

・ダイオードブリッジレスPFC